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国内外の粒子加速器分野で、当社装置をご採用いただいております。 加速器からの陽子ビーム生成の長期安定運転を目的とし、高電圧半導体スイッチを使用したクライストロン用アノード変調器を多数納入しております。 加速器施設などの最先端研究で欠かせない高速・高安定度・高繰返しといった高難度のご要求に対して、これまで培ってきた技術力・開発力をもとに、難しい課題を解決いたします。
従来使用していた4極管(電子管)は、寿命が短く、ランニングコストが割高なため、高電圧半導体スイッチに置き換えることで、安定動作とランニングコストの低減を実現しました。
アノード変調器 120kVp,700μS,50pps
加速器に用いられるクライストロンは、高周波、高出力のマイクロ波を生成するために、高電圧・大電流を瞬間的に流す必要があります。このような特殊パルス電源の設計製作を行います。
クライストロンパルス電源 317kV,360A
イグナイトロンは、水銀入りスイッチであり、取扱いが困難。温度や経年変化に影響を受けやすいので、長期安定動作に課題がある。
半導体素子を用いることで、環境負荷を低減し、長期間安定動作が可能な高電圧大電流半導体スイッチを開発しました。 半導体スイッチで高電圧・大電流通電を実現するため、様々な工夫や対策を施して難しい技術課題を解決しました。
高電圧大電流半導体スイッチ (イグナイトロン代替) 25kV,120kA
サイラトロンは、部品単体ごとに性能や寿命のばらつきが大きい。安定動作させるために、リザーバ調整などに時間がかかる課題がある。
半導体素子を用いることで、事前調整不要、メンテナンスフリー、個体ごとの特性ばらつきが少ない高電圧大電流半導体スイッチを開発しました。 高電圧・大電流・繰返し運転による発熱量低減対策が施されています。
高電圧大電流半導体スイッチ (サイラトロン代替) 43kV,4.3kA,50pps